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2026年最新兰州大学物理学院集成光子芯片研究团队诚聘萃英博士后和博士后参考题库及答案解析

1.单项选择题

（1）下列关于绝缘体上硅（SOI）平台用于集成光子芯片的表述，错误的是（）

A.SOI结构中芯层单晶硅与下包层二氧化硅的折射率差约为2，可实现弯曲半径低至5μm的低损耗光波导，支撑超高集成度的光子回路制备

B.SOI平台的制备工艺与现有CMOS微电子工艺线完全兼容，可依托成熟的8英寸、12英寸晶圆代工线实现大规模量产，是当前消费级光模块、硅光收发芯片的主流平台

C.SOI平台在2μm以上中红外波段传输损耗极低，材料吸收可忽略不计，是中红外气体传感、热辐射调控集成光子芯片的最优选择

D.单晶硅材料在1550nm通信波段存在双光子吸收效应，当波导内光功率密度超过10MW/cm2时会引入显著的非线性损耗和自由载流子吸收，限制高功率片上光器件的性能

答案：C

答案解析：SOI平台的二氧化硅材料在2.5μm以上波段存在强烈的Si-O键声子吸收，传输损耗超过10dB/cm，且单晶硅材料在7μm以上波段声子吸收显著，无法支撑宽谱中红外光子器件制备，并非中红外集成光子的最优平台，当前中红外集成光子常用的平台包括硫系玻璃、氮化硅、锗硅异质结、氟化钡等。兰州大学物理学院集成光子芯片研究团队2025年在OpticsLetters发表的中红外光传感芯片成果，正是采用硫系玻璃-氮化硅异