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微电子技术基础期末考试试题（含详细答案）

适用专业：微电子科学与工程、电子科学与技术

考试时长：120分钟

满分：100分

考试形式：闭卷

一、填空题（每空1分，共20分）

1、半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间，其核心特征是具有__________和__________两种载流子。

2、本征半导体在室温下，价带电子获得能量跃迁到导带，会在价带中留下__________，该粒子可等效为带正电的载流子。

3、在硅半导体中，掺入五价元素（磷、砷）可形成__________型半导体，掺入三价元素（硼、铝）可形成__________型半导体。

4、PN结的核心特性是__________，正向偏置时__________，反向偏置时__________。

5、PN结反向击穿分为__________击穿和__________击穿，其中__________击穿属于可逆击穿，可用于稳压管。

6、MOS器件分为NMOS和PMOS，NMOS的导电载流子是__________，PMOS的导电载流子是__________。

7、MOS管的三个电极分别为栅极、__________和__________，栅极与沟道之间由__________绝缘层隔离。

8、集成电路按照集成度可分为小规模、中规模、大规模和__________集成电路，目前主流芯片多为超大规模集成电路。

9、半导体工艺中，________