GBT 45721.1-2025 半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验 标准立项发展报告.docxVIP

半导体器件应力迁移试验第1部分：铜应力迁移试验标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:SemiconductorDevices—StressMigrationTest—Part1:CopperStressMigrationTest

摘要

随着半导体制造工艺不断向先进节点演进，铜互连技术已成为集成电路制造的核心环节。然而，铜互连结构在高温工作环境下易发生应力迁移现象，导致互连线失效，严重影响器件的可靠性与使用寿命。GB/T45721.1-2025《半导体器件应力迁移试验第1部分：铜应力迁移试验》于2025年正式发布，并于2025年9月1日起实施。该标准针对铜互连结构的应力迁移问题，系统规定了试验方法、测试条件、样品制备、数据处理及失效判定准则等技术内容。本报告全面介绍了该标准的立项背景、编制过程、技术框架及核心内容，分析了其在半导体可靠性测试领域的重要意义。该标准的制定填补了国内铜应力迁移试验方法标准的空白，为半导体器件可靠性评价提供了统一的技术规范，对促进我国集成电路产业高质量发展具有重要的支撑作用。

关键词：半导体器件；铜互连；应力迁移试验；可靠性评价；集成电路；标准化；失效分析；热应力

Keywords:Semiconductordevices;Copperinterconnect;Stre