IEC 63229：2021 半导体器件.碳化硅衬底上氮化镓外延膜缺陷的分类标准立项发展报告.docxVIP

半导体器件·碳化硅衬底上氮化镓外延膜缺陷的分类标准立项发展报告

EnglishTitle:StandardizationDevelopmentReport:SemiconductorDevices–ClassificationofDefectsinGalliumNitrideEpitaxialFilmonSiliconCarbideSubstrate

摘要

宽禁带半导体材料是支撑新一代电力电子器件和射频器件发展的核心基础。碳化硅（SiC）衬底上生长的氮化镓（GaN）外延膜兼具SiC的高热导率与GaN的高击穿场强、高电子迁移率等优势，已成为高频高功率电子器件的关键材料体系。然而，GaN外延膜中各类缺陷的存在严重影响器件性能、可靠性与良率，缺陷的分类与判定缺乏统一标准成为制约产业规模化发展的瓶颈。国际电工委员会（IEC）于2021年4月正式发布IEC63229:2021《半导体器件——碳化硅衬底上氮化镓外延膜缺陷的分类》，首次在国际层面建立了该材料体系缺陷分类的标准化框架。本报告系统梳理了该标准的立项背景、编制过程、主要技术内容及其对产业发展的指导意义。该标准明确了GaN外延膜中位错、堆垛层错、点缺陷、表面缺陷及宏观缺陷等类别的定义与分类原则，为材料研发、器件设计与质量管控提供了统一的技术语言。本报告的结论可为国内相关企事业单位参与国际标准化工