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2026年微电子试卷及答案

一、单项选择题（共10题，每题1分，共10分）

以下哪种器件结构是当前3nm及以下制程的主流晶体管构型

A.平面MOSFET结构

B.FinFET鳍式场效应管结构

C.GAA全环绕栅极晶体管结构

D.双极型晶体管结构

答案：C

解析：正确选项依据是当前行业技术迭代显示，3nm及更先进制程中GAA全环绕栅极结构可以实现对沟道的全包裹控制，大幅抑制短沟道效应，是量产阶段的主流选择。错误选项A平面MOSFET仅适用于90nm以上成熟制程，短沟道效应问题在小尺寸下完全无法控制；错误选项BFinFET结构在7nm到5nm制程中广泛使用，但栅极对沟道的控制能力在3nm