250V 33A N沟道MOSFET技术参数与应用说明.pdfVIP

FDB33N25

N沟道UniFETTM

MOSFET

250伏,

33安,

94毫欧

特性

•导通电阻DS(on)=94毫欧Ω(最大值)@栅源电压GS=10伏,

漏极电流D

16.5安

•低栅极电荷（典型值36.8纳库）

•低反向传输电容(Crss)(典型值

39pF)

•100%

经过雪崩测试

应用领域

•等离子电视

•照明系统

•不间断电源

•交流‑直流电源

描述

UniFETTM

MOSFET是飞兆（Fairchild

Semiconductor®）基于平面条状和DMOS技

术开发的高压MOSFET系列产品。该MOSFET专为降低导通电阻、更优开关性能及更高

雪崩能量强度而设计。此系列器件适用于开关电源转换器应用，例如功率因数校正（PFC）、

平板显示器（FPD）电视电源、ATX电源及电子灯镇流器。

FDB33N25

N-ChannelUniFETTMMOSFET

250V,33A,94m

Features

•RDS(on)=94mΩ(Max.)@VGS=10V,lD16.5A

•LoweCharge(Typ.36.8nC)

•LowCrss(Typ.39pF)

•100%AvalancheTested

Appli