IEC 63068-2：2019 半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第2部分光学检验缺陷的试验方法标准立项发展报告.docxVIP

IEC63068-2:2019半导体器件——功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准第2部分：光学检验缺陷的试验方法标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:Semiconductordevices–Non-destructiverecognitioncriteriaofdefectsinsiliconcarbidehomoepitaxialwaferforpowerdevices–Part2:Testmethodfordefectsusingopticalinspection

摘要

碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表，在功率器件领域具有广阔的应用前景。然而，SiC同质外延片中缺陷的存在严重影响功率器件的性能和可靠性，对缺陷进行准确、无损的识别与检测是保障器件质量的关键环节。IEC63068-2:2019由国际电工委员会（IEC）于2019年1月30日正式发布，作为IEC63068系列标准的第2部分，专门规定了利用光学检验方法对SiC同质外延片中缺陷进行无损识别和测试的技术要求与试验方法。本报告系统阐述了该标准的立项背景、编制过程、主要技术内容、适用范围及实施意义，分析了国内外SiC外延片缺陷检测技术的发展现状与趋势，并结合我国半导体标准化工作实际，