基于AZ4620光刻胶的垂直掩膜工艺参数优化 .pdfVIP

■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■

DOI:10.13290/j.cnki.bdtjs.2026.02.005

基于AZ4620光刻胶的垂直掩膜工艺参数优化

11,*11122

李啟,梁庭,雷程,贾平岗,余建刚,姚宗,李嘉龙

(1.中北大学极限环境光电动态测试技术与仪器全国重点实验室,太原030051;

2.北方自动控制技术研究所,太原030006)

摘要:针对光刻胶掩膜侧壁倾角不垂直导致压力传感器背腔刻蚀倾角偏差,进而影响传感器

性能的问题,对光刻胶掩膜参数进行了探究,分析了匀胶转速、曝光剂量和后烘温度及时间等不

同光刻参数对光刻胶掩膜侧壁倾角的影响。结果表明,采用以下光刻参数:AZ4620光刻胶,匀