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2026年岗位知识竞赛-ASM工序知识竞赛历年参考题库含答案解析

一、选择题

从给出的选项中选择正确答案（共100题）

1、ASM工序中，ALD代表什么意思？

A.原子层沉积

B.原子线分布

C.化学气相沉积

D.物理气相沉积

2、ALD工艺的特点不包括以下哪项？

A.自限制表面反应

B.需要高真空环境

C.沉积速率快

D.均匀的薄膜覆盖

3、ALD循环过程中，前驱体脉冲后通常需要进行什么操作？

A.直接通入下一前驱体

B.脉冲和吹扫

C.高温退火

D.冷却处理

4、ALD工艺中，薄膜生长的基本单位是什么？

A.单原子层

B.双原子层

C.纳米颗粒

D.分子团簇

5、下列哪种材料不适合用于ALD工艺的前驱体？

A.金属有机物

B.高沸点无机盐

C.低挥发性固体

D.气态化合物

6、ALD工艺中常用的衬底材料不包括以下哪项？

A.硅片

B.石英

C.金属铜

D.氧化铝陶瓷

7、ALD薄膜厚度控制的精度可达到什么级别？

A.埃级

B.微米级

C.毫米级

D.纳米级但精度较低

8、以下哪种ALD前驱体常用于制备氧化铝薄膜？

A.TMA（三甲基铝）

B.SiH4

C.TiCl4

D.WCl6

9、ALD工艺的反应温度通常在什么范围？

A.50至450摄氏度

B.500至1000摄氏度

C.1000至2000摄氏度

D.