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底部抗反射涂层与旋涂碳旋涂硅在多层图形转移工艺中的刻蚀选择比优化

全局数据规范：全篇所有量化数据须标注来源与时间口径；历史数据须真实可溯，预测性数据须注明推断依据与关键假设；多采用表格呈现数据与对比信息。

本报告说明

本调研报告聚焦于先进半导体制造中多层图形转移工艺所必需的底部抗反射涂层（BARC）、旋涂碳（SOC）及旋涂硅（SOG/Silicon-containingBARC）材料市场。随着逻辑芯片向3nm及以下节点、动态存储向1a/1bnm节点迈进，极紫外光刻（EUV）与深紫外光刻（DUV）的图形化面临严峻的深宽比挑战。核心发现表明，高碳含量、高刻蚀选择比的SOC材料