电子信息工程题库及详解.docxVIP

电子信息工程题库及详解

一、单项选择题（共10题，每题1分，共10分）

硅二极管在正向导通时，其正向压降通常约为多少？

A.约零点三伏

B.约零点七伏

C.约一伏

D.约一点五伏

答案：B

解析：硅二极管的正向导通压降通常在零点六至零点八伏之间，工程上常取约零点七伏作为典型值，因此本题正确答案为B。选项A约零点三伏是锗二极管的典型正向压降，并非硅二极管，故错误。选项C约一伏和选项D约一点五伏都远高于硅二极管实际导通压降，当二极管正向电压达到该数值时，往往已经超出了正常工作范围，可能造成器件过热甚至损坏。需要特别注意的是，二极管正向压降会随电流增大而略有上升，但总体仍保持在零点七伏附近，这一点在电路设计和分析中需要牢记。

某放大电路中的晶体三极管工作在放大状态，则其发射结和集电结的偏置情况应为下列哪一种？

A.发射结正偏，集电结正偏

B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结反偏，集电结正偏

D.发射结反偏，集电结反偏

答案：B

解析：晶体三极管工作在放大区时，必须保证发射结正向偏置、集电结反向偏置。发射结正偏使得基区获得足够多的载流子注入，而集电结反偏则能将注入的载流子大部分收集到集电极，从而实现对输入信号的放大作用。选项A中两个结均正偏对应的是饱和状态，此时三极管虽然导通但集电极电流不再受基极电流控制，失去放大能力。选项C和D中发射结反偏则分别对应倒置状态和截止状