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高性能沟道MOSFET器件.pdf

高性能沟道MOSFET器件.pdf

    飞兆?

    2013年3月

    FQB50N06L

    /

    FQI50N06L

    N沟道

    QFET

    MOSFET

    60

    V，52.4

    A，21

    mΩ

    概述这款

    N

    沟道增强

    型功率

    MOSFET

    采用飞兆®专有的平面条状和

    DMOS

    技术制造。该先进的

    MOSFET

    技术经特别优化，可有效降低导通电阻，并卓越的开关性能以及高雪崩能

    量强度。这些器件适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

    特性

    •52.4

    A，60

    V，RDS(on

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