第5章-P-N结培训课件.pptVIP

2.扩散法扩散法制造P-N结,如图所示在N型硅单晶上,生长一层SiO2,通过光刻、扩散将P型杂质扩散入N型硅单晶中,形成P-N结,也称为扩散结。扩散法制造P-N结3.离子注入法离子注入法是比合金法和扩散法都要新的掺杂技术,如图所示,把杂质元素,如硼、磷等,经过离子化后成为掺杂离子,通过电场对离子进行加速,利用磁场使其运动方向改变,这样就可以控制离子以一定的能量进入半导体内部,达到掺杂的目的,经过退火就形成了P-N结。离子注入法制造P-N结5.1.2平衡P-N结1.空间电荷区当半导体形成P-N结时，由于结两边存在着载流子浓度梯度，导致了空穴从P区到N区，电子从N区到P区的扩散运动。对于P区空穴离开后，留下了不可移动的带负电荷的电离受主，这些电离受主没有正电荷与之保持电中性，因此，在P-N结附近P区一侧出现了一个负电荷区;同理，在P-N结附近N区一侧出现了由电离施主构成的一个正电荷区。通常把在P-N结附近的这些电离施主和电离受主所带电荷称为空间电荷，它们所存在的区域称为空间电荷区，也称之为势垒区或耗尽层。5-8空间电荷区2.平衡P-N结的形成电子的扩散电流和漂移电流的大小相等,方向相反,从而相互抵消。对于空穴,情况完全一致,因此没有净电