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中国移动芯片前端暑期实习备考题库

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题只有一个正确选项，请将正确选项的字母填入括号内）

1.在半导体中，载流子的主要来源是（）。

A.掺杂元素

B.本征激发

C.外加电场

D.热运动

2.PN结正向偏置时，其特性是（）。

A.内部电场增强，扩散电流大于漂移电流

B.内部电场减弱，扩散电流小于漂移电流

C.内部电场增强，扩散电流小于漂移电流

D.内部电场减弱，扩散电流大于漂移电流

3.MOSFET器件中，控制其输出电流的关键参数是（）。

A.漏极电压（VDS）

B.栅极电压（VGS）

C.源极电压（VSS）

D.跨导（gm）

4.CMOS反相器的静态功耗主要来源于（）。

A.输出级晶体管的导通电阻

B.电源线和地线之间的漏电流

C.晶体管开关过程中的瞬时功耗

D.电路的散热损耗

5.在数字电路中，逻辑门电路的基本逻辑关系不包括（）。

A.与（AND）

B.或（OR）

C.非门（NOT）

D.微分（Differentiation）

6.时序逻辑电路与组合逻辑电路