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2026年半导体物理核心知识点测试题及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

年半导体物理核心知识点测试题及答案考试时间分钟总分分姓名一选择题每题只有一个正确答案请将正确选项字母填入括号内每题分共分本征半导体中温度升高时自由电子浓度将如何变化A增大B减小C不变D先增大后减小在N型半导体中主要的载流子是A空穴B电子C施

一、选择题（每题只有一个正确答案，请将正确选项字母填入括号内。每题2分，

共30分）

1.本征半导体中，温度升高时，自由电子浓度将如何变化？

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增大后减小

2.在N型半导体中，主要的载流子是？

半导体在能带结构上的主要区别简述PN结是如何形成的并说明形成过程中的能带弯曲解释什么是内建电场它对结区两侧的载流子各有什么影响四计算题请列出必要的公式和计算步骤每题分共分已知硅的禁带宽度EgeV若要使该半导体材料吸收波长为nm的光问一个光子

A.空穴

B.电子

C.施主离子