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- 2026-11-03 发布于北京
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封装高容量2安培,扁平紧凑型GQ继电器(AGQ)
3.
可高灵敏度单侧稳定型(标称8.
杰出的振动和抗冲击性。
工作功率:100mW)
2
功能抗冲击性:750
m/s破坏性抗
4.
出色的浪涌抗性。触点与线圈间浪2
冲击性:1,000
m/s功能抗振性:10
至
涌击穿电压:2,500
V
210
封装高容量2安培,扁平紧凑型GQ继电器(AGQ)
3.
可高灵敏度单侧稳定型(标称8.
杰出的振动和抗冲击性。
工作功率:100mW)
2
功能抗冲击性:750
m/s破坏性抗
4.
出色的浪涌抗性。触点与线圈间浪2
冲击性:1,000
m/s功能抗振性:10
至
涌击穿电压:2,500
V
210
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