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2026年电子技术基础试题及答案.docx

2026年电子技术基础试题及答案.docx

    2026年电子技术基础试题及答案

    一、选择题（每题2分，共40分）

    1.关于PN结的形成，下列说法正确的是：

    A.P型半导体和N型半导体接触后，由于载流子浓度差，电子从N区向P区扩散，空穴从P区向N区扩散

    B.扩散运动形成内电场，内电场方向从P区指向N区

    C.内电场会阻止多数载流子的继续扩散，但有利于少数载流子的漂移

    D.当扩散运动和漂移运动达到动态平衡时，PN结形成

    2.二极管的主要特性是：

    A.单向导电性

    B.双向导电性

    C.线性特性

    D.非线性特性

    3.晶体管工作在放大区时，其外部条件是：

    A.发射结正偏，集电

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