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2026年工学电子技术集成电路工艺设计试题及答案.docx

2026年工学电子技术集成电路工艺设计试题及答案.docx

    2026年工学电子技术集成电路工艺设计试题及答案

    一、选择题（40分）

    1.在集成电路制造中，硅片清洗的主要目的是什么？

    A.增加硅片表面粗糙度

    B.去除硅片表面的污染物和颗粒

    C.增加硅片的导电性

    D.改变硅片的晶体结构

    2.光刻工艺中，分辨率的主要影响因素是？

    A.光源的波长

    B.光刻胶的厚度

    C.曝光时间

    D.显影液的浓度

    3.下列哪种掺杂方法能够实现最精确的掺杂控制？

    A.热扩散

    B.离子注入

    C.固源扩散

    D.气相掺杂

    4.在CMOS工艺中，n阱的形成通常采用什么杂质？

    A.

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