IEC 62373-1：2020 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分MOSFET的快速BTI试验标准立项发展报告.docxVIP

半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:SemiconductorDevices-Bias-TemperatureStabilityTestforMetal-OxideSemiconductorField-EffectTransistors(MOSFET)-Part1:FastBTITestforMOSFET

摘要

随着半导体工艺节点持续向深亚微米及纳米尺度推进，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度不稳定性（BiasTemperatureInstability,BTI）已成为影响器件可靠性和寿命的核心退化机制之一。传统BTI测试方法因测试周期长、时效性差，难以满足先进工艺快速评估与量产监控的需求。IEC62373-1:2020《半导体器件——金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验——第1部分：MOSFET的快速BTI试验》由国际电工委员会（IEC）于2020年7月正式发布，是BTI测试领域首个针对快速BTI试验方法的国际标准。该标准系统规定了快速BTI试验的术语定义、测试原理、设备要求、测试条件、数据处理及报告规范，为半导体行业提