IEC 60747-8：2010AMD1：2021 修改件1.半导体器件.分立器件.第8部分场效应晶体管标准立项发展报告.docxVIP

半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:Amendment1-SemiconductorDevices-DiscreteDevices-Part8:Field-effectTransistors

摘要

随着宽禁带半导体材料（SiC、GaN）在功率电子领域的规模化应用以及硅基MOSFET技术向高压高频方向的持续演进，场效应晶体管（FET）的器件结构、参数体系与可靠性评价方法均发生了深刻变化。国际电工委员会（IEC）于2021年6月发布的IEC60747-8:2010/AMD1:2021修改件，针对原标准中场效应晶体管的术语定义、电特性参数测试方法及标识要求进行了系统性更新，以适应新型器件技术发展的需要。本报告围绕该修改件的立项背景、修订内容、技术依据及应用价值展开分析，重点阐述了修改件在漏源导通电阻测试条件、栅极电荷参数定义、安全工作区（SOA）评价方法等方面的技术调整，并结合我国半导体分立器件标准化体系现状，探讨了该国际标准对国内产业的技术影响与采标建议。研究表明，该修改件的发布为场效应晶体管的设计验证、产品认证及国际贸易提供了统一的技术语言，对我国功率半导体器件标准的制修订具有重要参考价值。

关键词：场效应晶体管；半导体分立器件；IEC60747-8；修改