氮化铝单晶位错密度测试方法.docVIP

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  • 2026-11-03 发布于上海
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GB/TXXXXX—XXXX

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ICS?FORMTEXT77.040

CCSFORMTEXTH21

中华人民共和国国家标准

GB/TXXXXX—FORMTEXTXXXX

氮化铝单晶位错密度测试方法

Testmethodfordislocationdensityofmonocrystallinealuminumnitride

(审定稿)

FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX发布

FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX实施

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前??言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。

本文件起草单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所、北京大学东莞光电研究院、松山湖材料实验室、江苏第三代半导体研究院、山东有研半导体材料有限公司、河北工业大学。

本文件主要起草人:

氮化铝单晶位错密度测试方法

范围

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