GBT+4023.2-2026+半导体分立器件+第2部分：整流二极管PPT课件.pptxVIP

GB/T4023.2-2026半导体分立器件第2部分：整流二极管

目录

CONTENTS

02.

04.

05.

01.

03.

06.

标准概述

测试与测量方法

术语与定义

质量评定与验收

技术参数与额定值

标志、包装与存储

01

标准概述

标准制定背景与目的

本次修订旨在解决原标准技术内容长期与功率半导体产品快速发展不匹配、不适应的问题，通过更新技术指标与测试方法，提升标准对整流二极管产业发展的指导作用。

解决技术滞后

作为我国首次牵头制修订的IEC功率半导体器件标准，其目的是在国际规则制定中反映我国技术诉求，增强我国在半导体器件国际标准化领域的影响力和话语权。

提升国际话语权

适用范围说明

适应技术迭代

在原标准基础上，结合上千次试验验证结果，标准范围进一步适应了新型功率半导体器件在电气特性、热特性及可靠性方面的技术迭代需求。

统一技术规范

规定了整流二极管的一般参数、额定值及特性测试方法，为不同应用场景下的器件设计、生产制造、质量评估及国际贸易提供统一的技术规范和验收依据。

涵盖核心器件

标准适用于广泛应用于手机充电器、家用电器、电动汽车、新能源发电、智能电网、工业自动化和航空航天等国民经济关键领域的整流二极管，明确了其基本参数与测试要求。

规范性引用文件

引用了半导体器件相关的基础标准和环境试验标准，确保整流二极管的测试条件、术语定义与上位标准保持一致，构建了完整