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MOSFET器件物理：从基础到前沿

01章节器件物理之基一切半导体器件的起点

PN结形成于扩散与内建电场的平衡P区与N区接触后，多子因浓度差相互扩散并复合，交界面留下耗尽区扩散空穴向N区跑，电子向P区跑复合耗尽区几乎无自由载流子固定电荷P侧负电受主离子，N侧正电施主离子内建电场从N指向P，阻止多子继续扩散动态平衡扩散电流与漂移电流相等，耗尽区宽度稳定

正偏导通反偏截止的整流本质正向偏置导通势垒势垒降低，耗尽区变窄机理外电场与内建电场反向，多子被推过势垒，扩散电流大幅增强，PN结呈低阻导通反向偏置截止势垒势垒抬高，耗尽区拉宽机理外电场与内建电场同向，多子无法翻越势垒，仅剩少子漂移形成纳安至皮安级的反向饱和电流，PN结呈高阻截止VS

PN结电容随偏置反向变化“高频失效：频率升高至结电容容抗可忽略时，动态信号几乎全部加在等效电阻上，PN结失去整流能力——这是二极管高频应用受限的出发点。”势垒电容的本质耗尽区固定电荷随电压增减，容值与耗尽层宽度成反比。反偏增大→耗尽区拉宽→电容减小正偏增大→耗尽区变窄→电容增大记忆公式：Cb=εs·A/W结面积A越大→电容越大耗尽层W越宽→电容越小

从PN结出发理解二极管与三极管一个PN结→二极管“吃透耗尽区、势垒与正反偏置，就拿到了打开半导体器件世界的钥匙。”01一个PN结→二极管正向偏置导通、反向偏置截止；单