IEC 63068-3：2020 半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第3部分用光致发光法检测缺陷的试验方法标准立项发展报告.docxVIP

半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准第3部分：用光致发光法检测缺陷的试验方法标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:SemiconductorDevices–Non-destructiveRecognitionCriteriaofDefectsinSiliconCarbideHomoepitaxialWaferforPowerDevices–Part3:TestMethodforDefectsUsingPhotoluminescence

摘要

碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表，凭借其高击穿场强、高热导率和高饱和电子漂移速度等优异特性，已成为功率器件领域的关键衬底与外延材料。然而，SiC同质外延片中各类缺陷（如基面位错、堆垛层错、三角缺陷等）严重影响功率器件的性能与可靠性，亟需建立标准化、无损化的缺陷检测方法。IEC63068-3:2020由国际电工委员会于2020年7月正式发布，是该系列标准的第3部分，专门规定了利用光致发光（Photoluminescence,PL）技术对SiC同质外延片中缺陷进行无损识别与检测的试验方法。本标准系统规范了测试原理、仪器设备要求、样品制备、测试程序、缺陷判定准则及测试报告编制等内容，为SiC外延片的质量