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二维材料（MoS2、WS2）与硅基CMOS的混合集成制造设备与转移技术市场调研报告

全局数据规范：全篇所有量化数据须标注来源与时间口径；历史数据须真实可溯，预测性数据须注明推断依据与关键假设；多采用表格呈现数据与对比信息。

本报告说明

随着摩尔定律逼近物理极限，硅基CMOS工艺微缩面临严重瓶颈。二维过渡金属硫族化物（如MoS2、WS2）凭借优异的静电控制能力和原子级厚度，成为延续摩尔定律的关键新材料。然而，将二维材料与硅基CMOS进行混合集成，特别是在后端工艺（BEOL）兼容温度（通常低于400℃）下的无缝集成，对制造设备与转移技术提出了极高要求。

本报告聚焦CVD生长大型化