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- 2026-11-05 发布于陕西
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模拟电子技术基础-第2章晶体三极管及其放大电路
CONTENTS目录01晶体三极管02放大的基本概念与主要性能指标03基本共射放大电路工作原理与分析04共集和共基放大电路05多级放大电路06晶体三极管的频率响应07本章总结
晶体三极管01
2.1.半导体三极管简介晶体三极管是现代电子技术的核心器件之一,凭借其电流放大与开关控制功能,成为各类电子电路的基础元件。晶体三极管中有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电,故称之为双极型晶体管(BipolarJunctionTransistor-BJT),又称半导体三极管。
2.1.1.晶体管的结构与类型(a)NPN型管结构示意图(b)PNP型管结构示意图(c)NPN型管的电路符号(d)PNP型管的电路符号BJT有两种类型:NPN型和PNP型。从三个杂质半导体区域各自引出一个电极,分别称为发射极e、集电极c、基极b,它们对应的杂质半导体区域分别称为发射区、集电区和基区。三个区域之间形成了两个PN结,发射区与基区间的PN结称为发射结,集电区与基区间的PN结称为集电结。
2.1.1.晶体管的结构与类型(a)NPN型管结构示意图(b)PNP型管结构示意图(c)NPN型管的电路符号(d)PNP型管的电路符号BJT的三个半导体区域在结构和掺杂上各具特点,主要包括:(1)基区最薄、掺杂较少。基区的宽度通常只有
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