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- 2026-11-05 发布于陕西
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模拟电子技术基础-第3章场效应管
及其放大电路
CONTENTS目录01场效应管02场效应管放大电路03场效应管放大电路的频率响应04本章总结
场效应管01
3.1.1结型场效应管1.分类场效应管可分为结型和绝缘栅型两种不同的结构,按照导电载流子的带电极性不同又分为N沟道和P沟道,如上图为结型场效应管的结构和符号。
2.N沟道结型场效应管在N型半导体衬底上,通过半导体掺杂工艺制备两个高浓度P+型掺杂区,两P+区通过金属化工艺形成欧姆接触并互联,由此引出的公共电极称为栅极(Gate,简称G)。N型半导体两端分别通过低阻接触引出两个电极,分别为接高电位端,作为载流子流出通道的漏极(Drain,简称D)和接低电位端,作为载流子注入端口的源极(Source,简称S)。
3.结型场效应管的工作原理(N沟道)?
3.结型场效应管的工作原理(N沟道)??
3.结型场效应管的工作原理(N沟道)??
3.结型场效应管的工作原理(N沟道)??
3.结型场效应管的工作原理(N沟道)??
4)低频跨导??3.结型场效应管的工作原理(N沟道)
4.结型场效应管的特性曲线?
?1可变电阻区(非饱和区)?
2恒流区(饱和区)?
3夹断区(截止区)?
4.结型场效应管的特性曲线?
4.结型场效应管的特性曲线?
4.结型场效应管的特性曲线?
5.结型场效应管的符号
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