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GBT+48164.1-2026+半导体器件+SiC+MOSFET可靠性试验方法+第1部分：偏置温PPT课件.pptxVIP

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  • 2026-11-04 发布于福建
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GBT+48164.1-2026+半导体器件+SiC+MOSFET可靠性试验方法+第1部分：偏置温PPT课件.pptx

    ;目录;01;;;规范引用文件;02;;偏置温度不稳定性(BTI)原理;BTI对器件可靠性的影响;03;试验仪器与测试系统配置;温度控制与偏置电压施加;;04;样品筛选与抽样规则;;烘烤去湿处理;05;试验条件设置与应力施加;;;06;参数漂移量计算方法;剔除测试过程中由系统噪声或瞬态干扰引起的异常跳变数据点，采用滑动平均或中值滤波算法对阈值电压漂移时间序列进行平滑处理，保障数据可靠性。;试验条件完整记录;THANKS

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