磷化铟光芯片衬底材料产业链分析:AI时代的“光学基石”
汉鼎智库咨询2026-10-30
磷化铟(InP,IndiumPhosphide)作为典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,
凭借其直接带隙、高电子迁移率以及在1.3—1.55μm光纤通信窗口优异的光电转换效率,成为制备DFB/EML激光器、高速探测器等光芯片不可替代的基底材料。在AI算力集群扩容和800G/1.6T光模块加速部署的推动下,磷化铟的战略地位已从“光通信衬底”跃升为“AI基础设施卡脖子环节”。
2026年以来,受全球AI算力需求爆发式增长的驱动,磷化铟产业链经历了从供需平
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