高性能30V N沟道MOSFET特性与应用.pdfVIP

FDMS8820

®

N沟道PowerTrenchMOSFET

30

V,

116

A,

2.0

mΩ

特性

„最大Γ = 2.0米Ω@

V = 10∨, I = 28A„最大Γ = 2.4米Ω@

V = 4.5V, I

DS(on)GSDDS(on)GS

D = 25A„先进封装与硅片组合实现低导通电阻DS(on)和高效率„下一代增强型体二极管技

术，专为软恢复设计„MSL1级稳健封装设计„100%

UIL测试通过„符合RoHS规范

FDMS8820

N-ChannelPowerTrench®MOSFET30V,116A,2.0mΩ

Features

„MaxΓ = 2.0mΩatV = 10∨, I = 28A

DS(on)