ISO 21820-2021 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）分析多类型硼和氮掺杂SiC晶体的紫外光致发光图像试验方法 标准立项发展报告.docxVIP

精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）分析多类型硼和氮掺杂SiC晶体的紫外光致发光图像试验方法标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:FineCeramics(AdvancedCeramics,AdvancedTechnicalCeramics)—UltravioletPhotoluminescenceImageTestMethodforAnalysingPolytypesofBoron-andNitrogen-DopedSiCCrystals

摘要

碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在功率器件、射频器件及高温电子器件等领域具有广阔的应用前景。SiC晶体中多型体的类型、分布及掺杂均匀性直接影响器件的电学性能和可靠性。硼（B）和氮（N）作为SiC中常见的掺杂元素，其掺杂行为与多型体结构密切相关，因此建立准确、高效的多型体分析方法对于材料质量控制与工艺优化具有重要意义。ISO21820-2021《精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）——分析多类型硼和氮掺杂SiC晶体的紫外光致发光图像试验方法》于2021年2月17日正式实施，该标准规定了利用紫外光致发光（UV-PL）图像技术对硼和氮掺杂SiC晶体多型体进行分析的试验方法，涵盖样品制备、测试设备要求、测试条件、图像采集与数据处理等关键