CN119249756A 液相法生长碳化硅中碳浓度边界层获取方法、装置和产品 (西安交通大学).pdfVIP

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  • 2026-11-06 发布于重庆
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CN119249756A 液相法生长碳化硅中碳浓度边界层获取方法、装置和产品 (西安交通大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119249756A

(43)申请公布日2025.01.03

(21)申请号202411431451.0C30B29/36(2006.01)

C30B11/00(2006.01)

(22)申请日2024.10.14

G06F111/10(2020.01)

(71)申请人西安交通大学

地址710048陕西省西安市咸宁西路28号

(72)发明人李早阳杨垚祁超钟泽琪

祁冲冲孙育康罗金平刘立军

(74)专利代理机构北京润泽恒知识产权代理有

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