GB/T 48163.1-2026半导体器件 能量收集和产生半导体器件 第1部分:基于振动的压电能量收集器.pdf

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  •   |  2026-09-28 颁布
  •   |  2027-04-01 实施

GB/T 48163.1-2026半导体器件 能量收集和产生半导体器件 第1部分:基于振动的压电能量收集器.pdf

ICS31.080.99

CCSL47

中华人民共和国国家标准

/—/:

GBT48163.12026IEC62830-12017

半导体器件能量收集和产生

半导体器件第部分:

1

基于振动的压电能量收集器

—

SemiconductordevicesSemiconductordevicesforenerharvestinand

gyg

—:

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