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第三代半导体氮化镓（GaN）外延片缺陷控制技术进展

一、氮化镓外延片缺陷控制的研究背景与核心价值

（一）氮化镓作为第三代半导体核心材料的应用定位

作为宽禁带半导体的典型代表，氮化镓的禁带宽度是传统硅材料的三倍以上，击穿场强达到硅材料的十倍，电子饱和漂移速度是硅材料的两倍多，基于氮化镓制备的电子器件具备开关速度快、导通电阻低、耐压等级高、耐高温性能好等突出优势，相比传统硅基器件可将电源转换效率提升至百分之九十五以上，同时让电源模块的体积和重量降低一半以上，目前已经广泛应用在消费电子快充、数据中心供电、通信基站射频单元、新能源车载充电机、固态照明、超高清显示等领域，是支撑新一代信息技术、新能源产业发展的关键基础材料（郝跃等，2021）。在氮化镓器件的制备流程中，外延片是决定器件最终性能的核心载体，包括铝镓氮/氮化镓异质结、多量子阱发光层等核心功能结构，都需要通过外延生长技术在衬底上逐层沉积制备，外延层的晶体质量直接决定了器件的可靠性、良率和成本水平。由于大尺寸氮化镓体单晶制备难度极大、成本极高，产业界绝大多数量产氮化镓外延片都采用异质外延路线，在蓝宝石、硅、碳化硅等廉价衬底上生长氮化镓薄膜，而衬底与氮化镓材料之间固有的晶格失配、热膨胀系数失配，会在外延层中引入大量不同尺度的缺陷，长期以来都是制约氮化镓器件性能提升和成本下降的核心瓶颈。

（二）外延缺陷对氮化镓器件性能的核心制约

不同类型