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澜起模拟集成电路笔试题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题只有一个正确答案，请将正确选项的字母填入括号内）

1.在室温下，对于增强型NMOSFET，其阈值电压（Vth）通常取决于以下哪个参数？（）

A.沟道长度

B.沟道宽度

C.沟道掺杂浓度

D.栅极电压

E.漏极电流

2.BJT工作在放大区时，其发射结和集电结的偏置方式通常是？（）

A.发射结反偏，集电结反偏

B.发射结正偏，集电结正偏

C.发射结正偏，集电结反偏

D.发射结反偏，集电结正偏

3.在共源放大器中，为了提高输出阻抗，通常采用哪种措施？（）

A.增大负载电阻

B.减小负载电阻

C.增大MOSFET的栅极源极电压（Vgs）

D.减小MOSFET的栅极源极电压（Vgs）

E.使用更大的MOSFET沟道宽度

4.一个单极点系统的单位增益频率（f_u）为10MHz，其上升速率（SlewRate,SR）大约是多少？（假设单位增益对应的转换速率约为1V/μs）？（）

A.1V/μs

B.10V/μs

C.100V/μs

D.1000V/μs