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2026年模拟电路基础知识面试题及答案

一、填空题（每题2分，共20分）

1.半导体材料的禁带宽度越大，其导电性能越________。

2.PN结在正向偏置时，其耗尽层宽度会________。

3.BJT的电流放大系数β主要取决于________和________。

4.MOSFET的栅极电压对沟道形成的影响是通过________效应实现的。

5.放大电路的输入电阻是指输入信号源与放大电路输入端之间的________。

6.共射极放大电路的电压放大倍数主要取决于________和________。

7.差分放大电路的主要特点是能够有效地抑制________。

8.运算放大器的开环增益通常非常大，其典型值可达________。

9.串联稳压电路中，稳压管的作用是________。

10.滤波电路的主要功能是________。

二、判断题（每题2分，共20分）

1.半导体中的空穴是带正电荷的载流子。（）

2.PN结反向偏置时，其反向电流几乎为零。（）

3.BJT的发射结和集电结通常都处于正向偏置状态。（）

4.MOSFET的栅极电压越高，其导电性能越好。（）

5.放大电路的输出电阻是指输出信号源与放大电路输出端之间的电阻。（）

6.共基极放大电路的电流放大倍数通常小于1。（）

7.差分放大电路的共模抑制比（CMRR）越大，其性能越好。（