集成电路工艺期末考试试题及详细参考答案.docxVIP

集成电路工艺期末考试试题及详细参考答案

适用专业：微电子科学与工程、集成电路设计与集成系统

考试时长：120分钟

总分：100分

答题说明：所有答案均写在答题纸上，试卷空白处可作为草稿，严禁涂改、撕毁试卷。

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1、硅单晶制备中，目前集成电路产业主流采用的单晶生长方法是（）

A、区熔法B、直拉法C、外延生长法D、烧结法

2、硅片抛光的核心目的是（）

A、减薄硅片厚度B、去除表面损伤层，获得超平整镜面C、掺杂改性D、形成氧化层

3、热氧化生长的SiO?薄膜与淀积SiO?相比，最突出的优势是（）

A、生长速度快B、台阶覆盖性好C、界面缺陷少、绝缘性能优异D、厚度均匀性高

4、离子注入工艺相较于扩散掺杂，最大的优点是（）

A、工艺成本低B、掺杂浓度和深度精准可控C、无需高温工艺D、无晶格损伤

5、光刻工艺中，决定光刻最小线宽的核心因素是（）

A、光刻胶厚度B、曝光波长与数值孔径C、显影时间D、烘胶温度

6、刻蚀工艺的关键指标“选择比”是指（）

A、待刻蚀材料与掩膜材料的刻蚀速率之比B、横向刻蚀与纵向刻蚀速率之比

C、不同区域刻蚀速率差值D、刻蚀均匀度偏差值

7、CMOS工艺中，阱注入的主要作用是（）

A、降低衬底缺陷B、隔离NMOS和PMOS器件，适配器