IEC 62047-25：2016 半导体器件 - 微机电器件 - 第25部分硅基存储器制造技术 - 微接合区域的拉压和剪切强度测量方法标准立项发展报告.docxVIP

半导体器件微机电器件第25部分：硅基存储器制造技术微接合区域的拉压和剪切强度测量方法标准立项发展报告

EnglishTitle:StandardizationDevelopmentReport:Semiconductordevices-Micro-electromechanicaldevices-Part25:SiliconbasedMEMSfabricationtechnology-Measurementmethodofpull-pressandshearingstrengthofmicrobondingarea

摘要

随着硅基微机电系统（MEMS）在传感器、执行器、射频器件和先进封装中的广泛应用，微接合区域的力学可靠性成为决定器件性能与寿命的关键。然而，微接合区域尺寸小、载荷低、界面复杂，其拉压和剪切强度测量长期缺乏统一方法，导致不同企业、实验室和地区的数据可比性不足。IEC62047-25:2016《半导体器件—微机电器件—第25部分：硅基MEMS制造技术—微接合区域的拉压和剪切强度测量方法》由国际电工委员会于2016年8月29日发布，现行有效，以英语和法语出版。该标准面向硅基MEMS制造过程中的微键合、微凸点、晶圆键合等微接合结构，规定了术语、测量原理、试样制备、试验设备、加载程序、数据计算和报告要求。其核