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半导体硅光芯片制造技术研究报告

——专题分析——

文档类型：研究报告型

密级：内部资料

日期：2026-09-13

目录

TOC\o1-2\h\z\u引言 3

研究背景与意义 3

硅光芯片制造技术体系与工艺流程 5

产业发展现状与竞争格局 8

关键瓶颈、风险与问题 10

发展趋势与行动建议 12

结论与建议 14

附录：来源清单 16

引言

大模型训练与推理集群的规模持续扩大，数据中心内部互连正从100G/400G向800G、1.6T乃至3.2T快速演进。2025年800G光模块需求量约1800万支，已成为AI训练集群的主流配置；2026年全球800G光模块出货预计达3500万至3800万只，1.6T光模块完成北美头部云厂商认证、订单排期已至2026年下半年，全年出货预计约800万只。光互连已成为AI算力基础设施中增长最快、迭代最快的环节，而硅光技术正是支撑这一轮速率跃迁的核心底座。（来源：S04、S05、S36）

在800G/1.6T及以上速率，传统分立光器件方案在成本、功耗与集成度上逼近物理极限，硅光凭借与CMOS工艺兼容、可大规模制造、高集成度与低成本潜力，从1.6T可插拔光模块的“降本选项”升级为NPO/CPO系统级基座。据高