SJT 11975-2025 电力系统用压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）门类规范 标准立项发展报告.docxVIP

电力系统用压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）门类规范标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:FamilySpecificationsofPress-packInsulatedGateBipolarTransistors(IGBT)forElectricPowerSystem

摘要

随着我国智能电网、柔性直流输电、新能源并网等电力系统重大工程的快速推进，压接式绝缘栅双极晶体管（Press-packIGBT）作为核心功率半导体器件，其质量与可靠性直接关系到电力系统的安全稳定运行。当前，国内压接式IGBT产品在术语定义、技术指标、测试方法及检验规则等方面缺乏统一的门类规范，制约了产品的规模化应用和产业链协同发展。本标准（SJ/T11975-2025）由中华人民共和国工业和信息化部批准发布，于2025年8月1日正式实施，旨在建立电力系统用压接式IGBT的门类规范体系。本标准系统规定了电力系统用压接式IGBT的术语和定义、分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存等内容，适用于电力系统用压接式IGBT器件的设计、制造、检验和使用。本标准的制定填补了国内电力系统用压接式IGBT门类标准的空白，为器件制造企业、电力装备整机厂商及检测认证机构提供了统一的技术依据，对提升我国功率半导体器件自主保障能力、支