电子科技大学成都学院《半导体器件物理》2026——2027学年第一学期期末试卷（含答案）（仅供期末模拟使用）模拟卷.docxVIP

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电子科技大学成都学院《半导体器件物理》2026——2027学年第一学期期末试卷（含答案）

课程名称：__________学年学期：________________________

课程编号：__________开课学院：__________出题教师：__________

学生姓名：__________学号：__________任课教师：__________

学生学院：__________班级：__________

题号

一

二

三

四

五

六

七

八

总分

得分

阅卷人

一、单项选择题（本大题共20小题，每小题1分，共计20分。在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其选出。错选、多选、不选均不得分。）

1.下列哪个不是半导体材料的类型？

A.硅

B.锗

C.氧化硅

D.钙

2.半导体器件中，PN结的反偏电压通常比正偏电压高多少？

A.0.5V

B.1V

C.1.5V

D.2V

3.下列哪个不是晶体管的工作模式？

A.截止区

B.放大区

C.饱和区

D.开关区

4.下列哪个不是晶体管的三个主要参数？

A.β（电流放大系数）

B.VBE（基射电压）

C.VCE（集射电压）

D.IC（集电极电流）

5.下列哪个不是MOSFET的两种主要类型？

A.N沟道

B.P沟道

C.J