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半导体工艺岗笔试题目及答案.docx

半导体工艺岗笔试题目及答案.docx

    半导体工艺岗笔试题目及答案

    一、单项选择题（每题2分，共20分）

    1.目前集成电路制造中最常用的晶圆衬底材料是？

    A.砷化镓（GaAs）

    B.单晶硅（Si）

    C.碳化硅（SiC）

    D.氮化镓（GaN）

    2.干氧氧化工艺的典型反应温度范围是？

    A.600~800℃

    B.800~900℃

    C.1000~1200℃

    D.1300~1500℃

    3.下列沉积技术中，属于化学气相沉积（CVD）范畴的是？

    A.磁控溅射

    B.电子束蒸发

    C.原子层沉积（ALD）

    D.电镀

    4.离子注入工艺中，决定注入杂质深度的主要参数是？

    A.注入剂量

    B.

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