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半导体工艺试卷及答案.docx

半导体工艺试卷及答案.docx

    半导体工艺试卷及答案

    一、单项选择题（每题2分，共20分）

    1.集成电路晶圆制造最常用的衬底材料是？

    A.砷化镓

    B.单晶硅

    C.多晶硅

    D.碳化硅

    2.下列热氧化工艺中，生成的氧化层致密性最好、缺陷最少的是？

    A.干氧氧化

    B.湿氧氧化

    C.水汽氧化

    D.高压湿氧氧化

    3.光刻工艺中，决定系统极限分辨率的核心参数是？

    A.光刻胶厚度

    B.曝光波长

    C.掩模版尺寸

    D.硅片直径

    4.下列刻蚀工艺中，各向异性特征最显著的是？

    A.湿法刻蚀

    B.反应离子刻蚀（RIE）

    C.液相化学腐蚀

    D.氢氟酸刻蚀二氧化硅

    5.离子注入工艺中，决定掺杂原子注入深

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