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3nm以下先进制程芯片设计挑战与突破考核试卷

一、单项选择题（每题1分，共30题）

1.3nm以下先进制程芯片设计中，最主要的挑战是什么？

A.功耗增加

B.成本降低

C.集成度提升

D.热管理难度加大

2.3nm制程以下，晶体管密度提升主要得益于哪种技术？

A.FinFET

B.GAAFET

C.CMOS

D.BiCMOS

3.在3nm以下制程中，哪种材料被广泛用于晶体管栅极？

A.SiO2

B.HfO2

C.Si3N4

D.Al2O3

4.3nm以下先进制程中，最常用的金属互连材料是什么？

A.Cu

B.Al

C.Ag

D.Au

5.3nm以下制程中，哪种方法被用于减少漏电流？

A.高K介