CN119922946A 高介电层金属栅器件的制作方法 (上海邦芯半导体科技有限公司).pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约2.15万字
  • 约 19页
  • 2026-11-15 发布于重庆
  • 举报

CN119922946A 高介电层金属栅器件的制作方法 (上海邦芯半导体科技有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119922946A

(43)申请公布日2025.05.02

(21)申请号202510422673.4

(22)申请日2025.04.07

(71)申请人上海邦芯半导体科技有限公司

地址201306上海市奉贤区中国(上海)自

由贸易试验区临港新片区平霄路358

号7号厂房、9号厂房

(72)发明人王士京王兆祥梁洁王晓雯

张名瑜李俭

(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限

公司44224

专利代理师鲁盛楠

(51)Int.Cl.

H10D30/62(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档