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硅材料制备试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共10题，20分）

1.硅的晶体结构属于（）

A.简立方晶格

B.体心立方晶格

C.面心立方晶格

D.金刚石结构

2.工业上制备高纯多晶硅的主流方法是（）

A.冶金法

B.Siemens法

C.碳热还原法

D.铝热还原法

3.直拉法（CZ法）生长硅单晶时，籽晶与坩埚的旋转方向通常为（）

A.同向旋转

B.反向旋转

C.籽晶静止，坩埚旋转

D.坩埚静止，籽晶旋转

4.区熔提纯（FZ法）适用于制备（）

A.低阻硅单晶

B.高阻硅单晶

C.多晶硅锭

D.非晶硅薄膜

5.硅片加工过程中，最终获得镜面表面的关键工序是（）

A.切割

B.研磨

C.腐蚀

D.抛光

6.离子注入掺杂相比热扩散掺杂的优势在于（）

A.掺杂浓度更高

B.掺杂深度更可控

C.设备成本更低

D.适用于所有元素

7.硅中氧杂质的主要来源是（）

A.原