模拟电路--第二章2009－1.ppt

1 BJT的放大偏置 发射结正偏，集电结反偏 即满足下列电压关系： NPN管：VCB﹥0，VBE﹥0 或VC＞VB ＞VE PNP管： VCB﹤0，VBE﹤0 或 VC＜VB＜VE 当BJT处在发射结正偏、集电结反偏的放大状态下，NPN管内载流子的运动情况。 放大偏置时的电流关系 （1） 与 的关系 定义共基极直流电流放大系数 为 （2） 与 的关系 定义共发射极直流电流放大系数 为 可推出 与 的关系 例2-1 PNP管直流电路如图2-3所示，图中 。当断开B点时，微安表的读数为240μA，当断开E点时，微安表的读数为6μA，试求该管的 和 。 解：直流电压 极 的方向和大小表明该管处于放大偏置。断开E点时微安表读数是集电结反向饱和电流 ，断开B点时微安表读数是穿透电流 ，即 2.1.3 放大偏置BJT偏压与电流的关系 双极型晶体管是电流控制器件。 控制各极电流变化的真正原因是发射结正向电压的变化。 集电结反向电压的变化对各极电流也有影响。 1、发射结正向电压VBE对各极电流的控制作用 2.集电结反向电压VCB对各极电流的影响 vBE一定时，发射区向基区注入的电子一定，基区E结附近少子浓度一定。 2.2.2 输出特性曲线 2.2.4 温度对BJT特性及参数的影响 1. 温度对 和 的影响 实验测试发现，温度每升高 ， 增加约一倍；反之，温度降低 减小。 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号，箭头方向为正偏时电流方向 第二章 双极型晶体三极管（BJT） 2.1 BJT原理 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 特点总结： ? 发射区的掺杂浓度最高；（高出基区100倍以上， “高掺杂”） ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；（“宽收集”） ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。（“窄基区、低掺杂”） 管芯结构剖面图 找基极B（电位居中者） 找发射极E（与基极电位差0.3或0.7左右者，若差0.3为锗管；0.7为硅管） 剩下一极为集电极C，若VC＞VB ＞VE 为NPN管； VC＜VB＜VE为PNP管 判放大偏置BJT类型、材料、电极的方法 2.1.2 放大偏置时 BJT内部载流子的传输过程 内部载流子 的传输过程 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄，集电结较宽。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 放大状态下NPN管内部载流子传输示意图 可得三电极的电流关系 iE= iEN + iEP =iCN+iBN+iEP 穿透电流 忽略ICEO，则 图2-3 例2-1电路图 发射极电流IE与发射结正偏电压VBE 之间满足正偏时PN结的伏安关系 IE、IB和IC 之间基本为比例关系，因此发射结正偏电压VBE 不仅与电流IE，也与电流IB、IC 之间维持指数型非线性关系。 vCB增加时，集电结变宽，基区变窄。基区少子浓度分布曲线变为虚线所示；曲线下的面积代表少子数量，意味着少子数量减少。 虚线决定的少子浓度梯度增加，说明基区少子扩散速度增加，且基区变窄，复合机会更少，iB下降，iC上升 集电结反偏电压的变化引起基区宽度变化，从而影响各极电流的现象称为基区宽度调制效应 2.2 BJT静态特性曲线-在伏安平面上作出的反映晶体管各极直流电流与电压关系的曲线。只适用于直流、低频场合 三极管的三种组态 BJT是三端器件，用双口网络来描述时需将其中一个极作为公共端； BJT静态特性曲线可用仪器测得 可用于判断质量、估算参数 IC mA ?A V V VCE VBE RB I