模拟电路--第二章2009－2.ppt

特征频率fT(高频 的模为1时的频率） 2.4 BJT简化直流模型及工作状态分析 BJT是一种复杂的非线性器件 三种截然不同的工作状态： 放大---模拟放大电路 截止---数字电路 饱和---数字电路 工作状态的分析方法 图形分析法—输入和输出特性曲线及负载线（见第三章） 模型分析法—BJT的直流模型 3.饱和状态模型 2.4.2 BJT工作状态分析 BJT的工作状态的分析方法： 假定放大状态法 临界饱和法 模拟电路基础 * 放大偏置时iE、iC、iB之间的电流关系？ 上节课要点回顾： 放大偏置时IE、IC、IB之间近似成线性关系 2.3 BJT主要参数 共射直流电流放大倍数： 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的微变增量为?iB，相应的集电极电流微变增量为?iC，则交流电流放大倍数为： 电流放大系数 (1)共发射极直流电流放大系数 ≈IC / IB ? vCE=const (2) 共发射极交流电流放大系数? ? =?IC/?IB?vCE=const (3) 共基极直流电流放大系数 ≈IC/IE (4) 共基极交流电流放大系数α α ≈ ?iC/?iE? VCB=const 在分析交流小信号时，在同一工作点处， ≈?、 ≈?， 可以不加区分。 (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO 极间反向电流（温度的敏感函数） ICEO (1) 集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。 ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。 截止频率 截止频率fβ(β下降到等于0.707β0时的频率） 2.3.3 极限参数 1.集电极最大允许电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 (2) 反向击穿电压 ? BVCBO——发射极开路时的集电结反向击穿电压 ? BV EBO——集电极开路时发射结的反向击穿电压。 ? BVCEO—基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。 常用作对选取晶体管电源电压的限制 几个击穿电压有如下关系 BVCBO＞BVCEO＞BV EBO 3. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为： pC =iCvCE PC太大必定导致结温上升，所以pC 有限制。 pC?PCM IC VCE iCvCE=PCM ICM BVCEO 安全工作区 静态工作点—加外电路偏置的晶体管，其各极直流电流和极间电压将对应于伏安特性曲线上的一个点。简称Q点。 2.4.1 BJT的简化直流模型 ， ， 输入、输出特性曲线 简化的输入、输出特性曲线 线性化 简化的直流模型 模型化 图2-9 晶体管伏安特性曲线的折线近似 截止状态模型 放大状态模型 饱和状态模型 特点： 三个电极间均开路。 模型： 条件：e结反偏， c结也反偏时，晶体管处于截止状态。 图2-10 截止状态模型 截止状态模型 控制的电流源 条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置 特点：当外电路使e结正偏而导通时， 相当于b、e极间接有一个恒压源 c、e极间接有一个受 2.放大状态直流模型 模型： 条件：e结正偏，c结正偏。 特点：c结零偏时，即 ，临界饱和压降 c结正偏时，BJT处于深度饱和状态，此时饱和压降 模型： 发射结 导通 截止 截止状态 放大状态 饱和状态 临界饱和假定法 放大状态假定法 假定BJT处于放大状态 计算VCE VCB 集电结反偏 集电结正偏 放大状态 饱和状态 假定BJT处于临界饱和状态 计算临界饱和电流ICS和IBS IBIBS IBIBS 放大状态 饱和状态 IB=IBS 临界饱和状态 模拟电路基础