专利信息分析.ppt

专利信息分析在竞争战略中的应用 二、专利文献检索—专利竞争情报获得的关 键步骤 2.1专利文献检索概述 2.2专利分类的应用 2.3检索系统及主要检索入口 2.4专利检索的检索方法 三、专利信息源 专利信息源及其利用—专利竞争情报获得的基本保证 3.1 网上专利数据库的特点 3.2 网上专利数据库查询途径 3.3 中外专利检索网站介绍 3.4 商业数据库 3.5 各国专利文献 专利信息分析问题研究 如何选择专利检索的信息源？ 四、专利信息分析 4.1专利分析含义 4.2专利分析流程 4.3专利分析内容 4.4专利分析方法 (专利指标的类型与应用) 4.5专利分析软件 4.6专利分析报告 4.7专利分析典型案例 四、专利信息分析 4.2专利信息分析流程 拟定目标 专利检索 数据处理 制作图表 解读图表 4.3专利分析流程 专利信息分析流程通常分为三个阶段： 1、准备期 2、分析期 3、应用期 专利技术生命周期示意图 3. 专利技术发展趋势 3. 专利技术发展趋势 5. 专利技术分布 5. 专利技术分布 6. 主要技术人才 四、专利信息分析 4.4专利信息分析方法 专利定量分析 专利定性分析 专利拟定量分析 专利图表分析 * * 专利信息分析是产生专利竞争情报的关键 基础研究 专利技术生命周期示意图 基础研究 表2 PVD领域重点技术排名（中国） 排名 IPC 技术主题 专利申请量 1 C23C 14/34 以溅射工艺为特征 538 2 H01L 21/00 制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 425 3 C23C 14/35 以磁控溅射工艺为特征 269 4 H01J 37/32 充气放电的电子管 226 5 H01L 21/306 化学或电处理改变半导体材料的表面特性或形状 170 6 H01L 21/3065 等离子腐蚀 167 7 H01L 21/205 应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即：化学沉积 156 8 H01L 21/68 用于晶片定位、定向、或对准等 151 9 C23C 14/06 以镀层材料为特征的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆 126 10 H01L 21/768 利用互连在器件传输电流 125 基础研究 表4 PVD专利的主要技术领域（EPI代码） EPI 代码 涉及的技术主题 涉及的专利数 占总数的比例 U11-C09A 溅射及其他物理沉积装置 4147 17.50% M13-G02 阴极溅射装置，包括靶材 3200 13.51% V05-F08D1A 磁控管、阴极溅射装置 2572 10.85% L04-D02 阴极溅射装置 2015 8.50% U11-C05C2 传导层的物理沉积技术 1906 8.04% V05-F05C 磁电效应进行等离子刻蚀、溅射设备，如磁控管等 1844 7.78% U11-F02A2 晶圆加工过程中的夹具固定器设备 1786 7.54% V05-F05E3 溅射装置，如：防过负荷、工件冷却技术或设备、工件固定和传入系统等 1548 6.53% X25-A04 阴极溅射中的沉积层 1278 5.39% U11-C09C 等离子体、反应离子设备 1232 5.20% M13-G01 预处理技术 1205 5.09% M13-G 阴极溅射 1085 4.58% L03-H04D 离子束技术及微粒加速设备，包括磁控管 1063 4.49% V05-F05E5 有关管子的电路或检测 876 3.70% V05-F04B5C 阴极溅射靶材 865 3.65% 基础研究 基础研究 基础研究 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 表16 PVD等离子体技术领域主要竞争对手及其技术主题(中国) 专利申请人 专利申请量 涉及技术主题 东京毅力科创株式会社 160 等离子体处理装置 拉姆研究公司 63 等离子体处理系统、等离子体处理器线圈、等离子体处理方法和装置 松下电器产业株式会社 41 等离子体处理的方法及装置 应用材料公司 41 集成电路浅沟槽隔离方法、溅射铜用自离化的等离子体等，涉及的技术较为全面 台湾积体电路制造股份有限公司 30 晶片基座及使用该晶片基座的等离子体工艺 大见忠弘 27 等离子体处理装置 旺宏电子股份有限公司 25 多晶硅间介电层的制造方法、制造具有多层膜的半导体组件的方法，其专利与等离子体处理关系不大 三