新型光电子器件中的异质兼容集成与功能微结构体系基础研究.doc

项目名称： 新型光电子器件中的异质兼容集成与功能微结构体系基础研究 任晓敏 北京邮电大学 2010年1月-2014年8月 教育部 —— 在半导体材料的高质量异变外延和纳异质结构制备方面，我们将在已申请国家发明专利的一项技术以及其它相关工艺的基础上，在Si衬底上分别生长GaAs和InP外延层材料，研究进一步提高异变外延层质量、降低位错密度的方法，进而作为对材料质量的验证，研制Si基InP材料系1.55μm半导体激光器和1.1~1.3μm InAs/GaAs量子点激光器。同时，我们将面向上述异变外延的工艺需求和微结构光纤器件内部的纳米线组装，进一步研究III-V族半导体纳米线的制备工艺；我们将面向未来纳米光电子器件的制备，研究在不同的生长条件下量子线和量子点自组织生长行为的特点与规律。我们将进一步研究InP/GaAs高质量异变外延技术，并研制具有渐变缓冲层结构的GaAs基量子点异质结构；研究GaSb/GaAs高质量异变外延技术，并完成相关器件验证。 —— 在新型半导体材料系方面，我们将面向光纤通信应用，在上一期973项目相应工作的基础上，进一步从理论上预测可与GaAs 或Si晶格匹配、发光波长位于光通信长波长波段（1.3μm、1.55μm）且为直接带隙的新型四元系集成光电子材料；我们将针对III-V族B（硼）化物材料系及其它有可能涉及的新型材料系开展研究工作，通过建立更为完善的半导体材料晶格-能隙关系理论分析模型，提高理论预测的准确性；从实验上研究BGaInAs/GaAs、BAlInAs/GaAs、BGaAsSb/GaAs和BGaPSb/Si、BInAsP/Si等含B III-V族化合物自身及相关三元系材料的合成问题及其带隙特性调控问题，并开展相关的器件验证工作；同时，我们将面向自由空间光通信、瓦斯监测及天基红外信息获取等方面的应用，研制高质量的诸如InGaAsSb、AlInGaAsSb、InGaSbP和InAs-GaSb II类超晶格等可供选用的GaSb基或GaAs基（基于异变外延技术）新型III-V族Sb化物材料系。我们还将基于这些材料系研制2~5μm红外激光器、双色（2~3μm及3~5μm）红外探测器和14μm以上波段的红外探测器。 围绕第2个科学问题，拟开展如下工作： —— 在光电子集成基元功能微结构方面，拟重点研究的半导体光电子集成基元功能微结构包括半导体环形微结构、同材料系异带隙级联波导结构、越层波导耦合微结构等。上一期973项目已经成功地实现了半导体微环激光器的激射，但半导体环形微结构光电子器件自身性能的提升及其潜在集成优势的发挥，还有待我们对其器件物理、结构设计和制备工艺进行深入的研究；同材料系异带隙级联波导结构的研究则主要集中在其实现工艺上，我们将对分次外延对接（Butt-Joint）、量子阱混杂（QWI）和选择区域生长（SAG）等工艺进行深入的比较研究，以做出进一步的工艺创新；越层波导耦合微结构的基础是我们熟悉的楔形功能微结构，因此我们的研究重点是实现其高效率耦合的问题。此外，我们还要构思普遍适用于大规模、多功能集成的基元功能—— 在光子集成（PIC）芯片方面，我们将致力于研制基于半导体微环结构的多波长收发光子集成芯片和可寻址半导体微环全光信号随机存储器；研制以可调谐半导体激光器为光源的InP基单片光子集成（PIC）波分复用光发射机；研制满足更高要求的高功率、低偏振、高可靠性超辐射单片集成PIC光源。在光电集成（OEIC）芯片方面，我们将进一步研究InP基长波长10Gb/s 单片集成OEIC光接收机的关键技术。 围绕第3个科学问题，拟开展如下工作： —— 在微结构光纤中的超快光子学效应与光子行为调控方面，深入研究“飞秒激光振荡器、放大器、飞秒激光的传输和频率变换”功能集成的高功率、高重复频率、多波段微结构光纤飞秒激光系统；研制高效率、高功率的V波段频率变换器和高功率紫外波段飞秒激光器；探索并论证微结构光纤中三阶非线性光学大波长跨度参量荧光的产生及其用作高效率、低噪声关联/偏振纠缠光子对源的可行性；探索微结构光纤中光与物质相互作用的新机理、光子行为调控的新方法。 —— 在纤基光电子集成的基本途径与方法方面，以实现“异质兼容”微结构光纤为目标，探索新型半导体－聚合物基Bragg光纤的基本理论和制备工艺，论证集成多芯微结构光纤其超连续谱从紫外到中红外的波段铒铥镱纤芯不同波长激光的输出—— 在微结构光纤的先进设计与精确制备方法方面，我们将基于代工厂（Foundry）的微结构功能光纤优化设计；建立和完善具有自主知识产权的微结构光纤设计和分析软件；研究微结构光纤制备中的动力学机制；通过自主创新，发展和完善微结构光纤设计技术、拉制工艺和产业化关键技术，形成一整套稳定的微结构光纤制造工艺技术；通过将微结构光纤